是霍尔器件的工作电流,B是外部磁场的磁感应强度,θ为I与B的垂直角度的偏差）可知,霍尔元件输出电压E与工作电流I、霍尔片与螺旋管轴向的夹角有关.电流I的准确度及稳定度,夹角θ偏离90°的误差,霍尔元件灵敏度系数K的精度,霍尔效应电压E的测量误差等是主要的误差来源. 霍尔副效应消除：采用电流和磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除.具体的做法是分别改变霍尔片的电流方向（交换空间位置）及螺旋管电流的方向但大小保持不变,重复3次实验,共四次实验的结果取平均.

　　永磁体提供磁通，经过软磁体连接后在空隙处产生磁场。磁路中的总磁通量是守恒的，但在空隙处的磁通密度相对降低小儿化煞，因有部分磁通在非空隙处流失，称之为漏磁，导致磁路中的磁阻。

　　对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。

　　磁阻效应最初于1856年由***·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。

　　所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。

　　这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时

　　磁场中的导体流过电流时，载流子会受到洛伦兹力，电流方向的载流子会垂直磁场方向发生偏转，因此电流会减小，这个效应是磁阻效应。而导体上下两端会产生一个电势差，这个效应是霍尔效应。

　　随着金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻(GMR)及稀土氧化物的特大磁电阻(CMR)的发现，以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到很大的发

　　同时用巨磁电阻材料构成磁电子学器件，在信息存储领域中获得很大的应用，如在1994年计算机硬盘中使用了巨磁电阻(GMR)效应的自旋阀结构的读出磁头，取得了1 Gb/inch的存储密度。

　　到1996年，存储密度已达5 Gb/inch，并计划在2000年前后实现存储密度10~20 Gb/inch。由于GMR磁头在信息存储运用方面的巨大潜力，激发了人们对各种材料的磁电阻效应进行深人广泛研究的热情，使得人们对于磁电阻效应的物理起源有更深的认识，促进了磁电阻效应的广泛应用。所谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。

　　磁单极子是一种非常特殊的物理现象，它在科学研究和实际应用中有着广泛的应用。以下是一些磁单极子的实际用处：

　　1.磁共振成像（MRI）：MRI是一种无创的医学检查技术，它利用磁单极子的特性来产生图像。通过控制磁单极子的方向和强度，可以精确地生成***组织的图像，对于诊断和治疗疾病非常有帮助。

　　2.磁共振能量转换：磁单极子还可以用于磁共振能量转换技术。这种技术可以将机械能转化为电能，为电子设备提供能量。例如，在磁共振成像中

　　3.磁共振通信：磁单极子还可以用于磁共振通信技术。这种技术利用磁单极子的特性来传输信息，可以实现高速、远距离的无线通信。例如，在无线充电技术中，磁单极子可以被用来接收和发送无线充电信号，实现无线充电的功能。

　　4.磁共振成像导航：磁单极子还可以用于磁共振成像导航技术。这种技术利用磁单极子的特性来生成***组织的图像，并将其与导航信息相结合，帮助人们进行导航和定位。

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